Seiko Netsu
東京都 大田区
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ルンド大学情報電子工学専攻ナノエレクトロニクスグループにVisiting Research Fellowとして在籍しました。化合物半導体ナノワイヤーMOSFETのトラップ量評価の新手法を開発しました。研究結果は、IEEE Electron Devices Lettersに掲載予定です。